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Fotorresist de película seca HC-1650 para níquel-oro químico selectivo

Descripción del producto

HC-1650 dry film photoresist rolls

HC-1650 es una película fotoresistible de 50 μm alkaline para niquel/gold (Ni/Au) selectivo.

Está formulado para entornos de placa electromecánica de alta temperatura, con resistencia a la química sin electrones Ni/Au. La película tiene como objetivo reducir la contaminación del baño y apoyar la eficiencia y rendimiento de la producción.

Especificaciones técnicas

HC-1650 selective electroless nickel-gold dry film photoresist micrograph
PropiedadesParámetros
Película Thickness50 μm
Película Width150–800 mm; corte a la anchura especificada
Longitud de la película492 ft (150 m)
Fotosensibilidad85 mJ/cm²
Tiempo mínimo de desarrollo50 s
Resolución (ST = 5/21)40 μm
Resolución (ST = 6/21)50 μm
Resolución (ST = 7/21)80 μm
Adherencia (ST = 5/21)35 μm
Adherencia (ST = 6/21)30 μm
Adherencia (ST = 7/11)30 μm
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Características clave

Capacidad de alta temperatura

Adecuado para exigentes condiciones de encofrado sin electrones.

Resistencia química a Ni/Au

Diseñado para procesos de níquel/gold selectivos.

Contaminación del baño inferior

Ayuda a reducir la contaminación de la solución sin electrones Ni/Au.

Aplicaciones

Procesos selectivos de niquelado sin electros/gold para PCB y fabricación electrónica relacionada.

Formato de producto " Dimensiones

TemaEspecificación
Espesor de película seca50 µm
Ancho de película seca disponible150–800 mm; corte a la anchura especificada
Longitud estándar de la película seca492 ft (150 m)

Condiciones de procesamiento recomendadas

PasoCondiciones recomendadas
Pretratamiento de la Juntaeliminar escombros, aceite y óxidos. enjuague de agua: 10–30 s a 0.15–0.25 MPa ; seco a 30–50°C para 10–20 s .
LaminaciónTemperatura del rodillo 110–130°C ; presión 0.3–0.5 MPa ; velocidad 0.5–2.0 m/min .
Mantenerse antes de la exposiciónBajo luz amarilla segura: 23 ± 2°C, 60 ± 10% RH, 30 min a 48 h; mantener las tablas verticales.
Exposiciónuse a 21-s guía de exposición de tep 8 ± 1 s teps; energía de exposición 85 ± 25 mJ/cm² .
Mantenerse después de la exposición23 ± 2°C, 60 ± 10% RH, 15 min to 48 h.
Revelado1.0 ± 0.3 wt% anhydrous sodium carbonate at 30 ± 2°C ; 1.5–2.5× tiempo mínimo de desarrollo; presión de pulverización 0.12–0.20 MPa .
Horneado posterior100–160°C para 30–60 min; una condición de 130–135°C × 30 min se proporciona como referencia.
Eliminación del resist3.0 ± 0.5 wt% hidróxido de sodio en 45–55°C ; 1.5–2× el tiempo mínimo de desmontaje; presión de pulverización ≥ 0.1 MPa .

Directrices de seguridad y almacenamiento

  • Utilice sólo para la formación de patrones relacionados con PCB. Siga las instrucciones de MSDS aplicables y procesar instrucciones de seguridad.
  • Evite el contacto directo con la capa fotosensible; use la protección adecuada del ojo y de la mano al manipular desarrollador y stripper.
  • Almacene material sin abrir horizontalmente en un lugar fresco y seco a 5–20°C y debajo del 60% RH; use dentro de los 40 días de fabricación.
  • Mantener material no utilizado en la película protectora negra y limitar la exposición a la iluminación segura.

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